casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSA106M008R2200V
Número da peça de fabricante | NOSA106M008R2200V |
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Número da peça futura | FT-NOSA106M008R2200V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSA106M008R2200V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 10µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 8V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 2.2 Ohms |
Corrente - Vazamento | 1.6µA |
Fator de dissipação | 10% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | A |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 (3216 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSA106M008R2200V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSA106M008R2200V-FT |
NOJD477M002RWJ
AVX Corporation
NOJD477M002SWJ
AVX Corporation
NOJD477M004RWJ
AVX Corporation
NOJX107M004RWJ
AVX Corporation
NOJX157M002RWJ
AVX Corporation
NOJX227M001RWJ
AVX Corporation
NOJX686M006RWJ
AVX Corporation
NOJY107M006RWJ
AVX Corporation
NOJY157M004RWJ
AVX Corporation
NOJY157M006RWJ
AVX Corporation
XA3S1200E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S50AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG325C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C80U484I7
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel
10AX115U4F45E3LG
Intel