casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NM27C512Q120
Número da peça de fabricante | NM27C512Q120 |
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Número da peça futura | FT-NM27C512Q120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NM27C512Q120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C512Q120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NM27C512Q120-FT |
N25Q512A83GSFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25QH32A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840E
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel