casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NJL4281DG
Número da peça de fabricante | NJL4281DG |
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Número da peça futura | FT-NJL4281DG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NJL4281DG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 350V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 800mA, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5A, 5V |
Potência - Max | 230W |
Freqüência - Transição | 35MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-264-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-264 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJL4281DG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NJL4281DG-FT |
2SA1507T
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5SGXMA5N3F45I3N
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5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923E
Xilinx Inc.
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation