casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / NGTD28T65F2WP
Número da peça de fabricante | NGTD28T65F2WP |
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Número da peça futura | FT-NGTD28T65F2WP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NGTD28T65F2WP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
Potência - Max | - |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | - |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD28T65F2WP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NGTD28T65F2WP-FT |
IKW75N60H3FKSA1
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5SGXEA7H3F35I3N
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LFE2M50SE-6F484I
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