casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / NGTB50N65S1WG
Número da peça de fabricante | NGTB50N65S1WG |
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Número da peça futura | FT-NGTB50N65S1WG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NGTB50N65S1WG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo IGBT | Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 140A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 140A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 300W |
Energia de comutação | 1.25mJ (on), 530µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 128nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 75ns/128ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 70ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB50N65S1WG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NGTB50N65S1WG-FT |
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