casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / NGTB40N60L2WG
Número da peça de fabricante | NGTB40N60L2WG |
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Número da peça futura | FT-NGTB40N60L2WG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NGTB40N60L2WG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 160A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.61V @ 15V, 40A |
Potência - Max | 417W |
Energia de comutação | 1.17mJ (on), 280µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 228nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 98ns/213ns |
Condição de teste | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 73ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB40N60L2WG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NGTB40N60L2WG-FT |
RJH60D5DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJH60D6DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJH60F3DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJH60F4DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPK-00#T0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
RJH60D1DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60A83RDPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJP6085DPN-00#T2
Renesas Electronics America
RJH60M1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel