casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / NGTB30N120IHRWG
Número da peça de fabricante | NGTB30N120IHRWG |
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Número da peça futura | FT-NGTB30N120IHRWG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NGTB30N120IHRWG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 120A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 384W |
Energia de comutação | 700µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 225nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | -/230ns |
Condição de teste | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB30N120IHRWG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NGTB30N120IHRWG-FT |
RJH60F6DPK-00#T0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA150-FG144
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-3
Intel
EP4CE6F17I8L
Intel
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Intel
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Intel
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Intel