casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE856M03-A
Número da peça de fabricante | NE856M03-A |
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Número da peça futura | FT-NE856M03-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE856M03-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 125mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-623F |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-SuperMiniMold (M03) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M03-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE856M03-A-FT |
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP2C15AF256C6N
Intel
5SGXMB5R3F43I3N
Intel
EP4CGX30BF14I7N
Intel
A40MX02-3PL44
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel
EPF6024AQC240-2N
Intel