casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-T1-AZ
Número da peça de fabricante | NE856M02-T1-AZ |
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Número da peça futura | FT-NE856M02-T1-AZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE856M02-T1-AZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 6.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 12dB |
Potência - Max | 1.2W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-T1-AZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE856M02-T1-AZ-FT |
BFQ31ATC
Diodes Incorporated
BFS17HTA
Diodes Incorporated
BFS17HTC
Diodes Incorporated
BFS17TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TA
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FMMT5179TC
Diodes Incorporated
FMMT918TA
Diodes Incorporated
FMMT918TC
Diodes Incorporated
FMMTH10TA
Diodes Incorporated
FMMTH10TC
Diodes Incorporated
M2GL005-1VFG400
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP2AGZ300FH29C4N
Intel
5SGXMA7H2F35I2N
Intel
XC7A200T-1FB484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALC84-3
Intel
EP20K300EQC240-2XN
Intel