casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-AZ
Número da peça de fabricante | NE856M02-AZ |
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Número da peça futura | FT-NE856M02-AZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE856M02-AZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 6.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 12dB |
Potência - Max | 1.2W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-AZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE856M02-AZ-FT |
BFU530R
NXP USA Inc.
BFU530XAR
NXP USA Inc.
BFU550XAR
NXP USA Inc.
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies
2SC4093-A
CEL
2SC4093-T1-A
CEL
2SC4094-A
CEL
2SC4094-T1-A
CEL
2SC4095-A
CEL
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K600EFC672-2N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGXEA7N3F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation