casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-AZ
Número da peça de fabricante | NE856M02-AZ |
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Número da peça futura | FT-NE856M02-AZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE856M02-AZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 6.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 12dB |
Potência - Max | 1.2W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-AZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE856M02-AZ-FT |
BFU530R
NXP USA Inc.
BFU530XAR
NXP USA Inc.
BFU550XAR
NXP USA Inc.
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies
2SC4093-A
CEL
2SC4093-T1-A
CEL
2SC4094-A
CEL
2SC4094-T1-A
CEL
2SC4095-A
CEL
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S100E-4VQ100I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208A
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100
Microsemi Corporation
10CL055YF484C8G
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
LFXP6C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP4CE40F29I8LN
Intel