casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639R-T1
Número da peça de fabricante | NE85639R-T1 |
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Número da peça futura | FT-NE85639R-T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85639R-T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 9GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
Ganho | 13.5dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-143R |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143R |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639R-T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85639R-T1-FT |
BFS17,215
NXP USA Inc.
BFS17,235
NXP USA Inc.
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX64-FTQG64
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG484T
Microsemi Corporation
A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PC84I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQI240-2N
Intel