casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639R-T1-A
Número da peça de fabricante | NE85639R-T1-A |
---|---|
Número da peça futura | FT-NE85639R-T1-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85639R-T1-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 9GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
Ganho | 13.5dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-143R |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143R |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639R-T1-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85639R-T1-A-FT |
BFS17,235
NXP USA Inc.
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel