casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85639-T1-R27-A
Número da peça de fabricante | NE85639-T1-R27-A |
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Número da peça futura | FT-NE85639-T1-R27-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85639-T1-R27-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 9GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 13dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639-T1-R27-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85639-T1-R27-A-FT |
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4
Intel
A42MX24-PQG208A
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
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10M08DCF256I7G
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10AX032E4F27E3LG
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LFE3-35EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N1F45I1SG
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