casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85634-A
Número da peça de fabricante | NE85634-A |
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Número da peça futura | FT-NE85634-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85634-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 6.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 9dB |
Potência - Max | 2W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85634-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85634-A-FT |
MMBTH10-7-F
Diodes Incorporated
BFQ31ATA
Diodes Incorporated
BFQ31ATC
Diodes Incorporated
BFS17HTA
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BFS17HTC
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FMMT5179TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TC
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FMMT918TA
Diodes Incorporated
FMMT918TC
Diodes Incorporated
EPF10K50ETC144-3N
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M2GL025TS-1FCSG325I
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AGL125V5-VQG100
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
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5SGXMB5R3F43C2N
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EP3SL340H1152C4L
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Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C6N
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10AX090N4F40I3SG
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