casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-R25-A
Número da peça de fabricante | NE85633-R25-A |
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Número da peça futura | FT-NE85633-R25-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85633-R25-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 11.5dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-R25-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85633-R25-A-FT |
NE68018-A
CEL
NE68018-T1-A
CEL
NE68118-A
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NE68118-T1-A
CEL
NE68518-A
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NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
A54SX08-2TQ144
Microsemi Corporation
EPF10K10ATI144-3N
Intel
XC2VP4-5FGG256C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX08A-FG144
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3C25U256I7
Intel
XC5VFX70T-2FFG665C
Xilinx Inc.
10AX057K2F40I2SG
Intel
EP1S40F780C8N
Intel