casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-R24-A
Número da peça de fabricante | NE85633-R24-A |
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Número da peça futura | FT-NE85633-R24-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85633-R24-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganho | 11.5dB |
Potência - Max | 200mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-R24-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85633-R24-A-FT |
NE67818-T1-A
CEL
NE68018-A
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START405TR
STMicroelectronics
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
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A3P030-1QNG48I
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Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
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Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
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EP1K100QC208-1N
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