casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85619-A
Número da peça de fabricante | NE85619-A |
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Número da peça futura | FT-NE85619-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE85619-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Ganho | 9dB |
Potência - Max | 100mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85619-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE85619-A-FT |
BFU530XVL
NXP USA Inc.
BFU550VL
NXP USA Inc.
BFU550XVL
NXP USA Inc.
BFU520WX
NXP USA Inc.
BFU550WX
NXP USA Inc.
BFS25A,115
NXP USA Inc.
BFU520WF
NXP USA Inc.
BFU530WF
NXP USA Inc.
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-2N
Intel
10AX027H3F35E2SG
Intel
XC6SLX16-N3CSG225C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation