casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE851M33-T3-A
Número da peça de fabricante | NE851M33-T3-A |
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Número da peça futura | FT-NE851M33-T3-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE851M33-T3-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.5V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 130mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-SuperMiniMold (M33) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M33-T3-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE851M33-T3-A-FT |
MS1612
Microsemi Corporation
MS1701
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
MS2091H
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MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
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XC3S1500-4FGG456C
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AGLN125V5-CSG81
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AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel