casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE851M33-A
Número da peça de fabricante | NE851M33-A |
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Número da peça futura | FT-NE851M33-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE851M33-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.5V |
Freqüência - Transição | 4.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 130mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-SuperMiniMold (M33) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M33-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE851M33-A-FT |
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