casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE681M13-A
Número da peça de fabricante | NE681M13-A |
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Número da peça futura | FT-NE681M13-A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NE681M13-A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 10V |
Freqüência - Transição | 7GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 140mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 65mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | M13 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M13-A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NE681M13-A-FT |
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80C
Microsemi Corporation
XCKU5P-L1FFVA676I
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XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FGG484
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AGLE600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C4N
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5SGSMD5H2F35I2L
Intel
LFE2-20SE-5FN484I
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LCMXO2-7000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation