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ON Semiconductor NDD02N60Z-1G

Name: NDD02N60Z-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD02N60Z-1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (472 reviews)

Número da peça MFG: NDD02N60Z-1G

Quantidade disponível: 80640 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V IPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NDD02N60Z-1G.pdf

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NDD02N60Z-1G Especificações

Número da peça de fabricante	NDD02N60Z-1G
Número da peça futura	FT-NDD02N60Z-1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NDD02N60Z-1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	274pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	57W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD02N60Z-1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NDD02N60Z-1G-FT

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