casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND512W3A2SZA6F TR
Número da peça de fabricante | NAND512W3A2SZA6F TR |
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Número da peça futura | FT-NAND512W3A2SZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND512W3A2SZA6F TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50ns |
Tempo de acesso | 50ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2SZA6F TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND512W3A2SZA6F TR-FT |
N25Q064A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW94ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel