casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND512R3A2BZA6E
Número da peça de fabricante | NAND512R3A2BZA6E |
---|---|
Número da peça futura | FT-NAND512R3A2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND512R3A2BZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 60ns |
Tempo de acesso | 60ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (8.5x15) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2BZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND512R3A2BZA6E-FT |
M93C66-WMN6
STMicroelectronics
M93C66-WMN6T
STMicroelectronics
M93C76-MN6P
STMicroelectronics
M93C76-MN6TP
STMicroelectronics
M93C76-WMN6P
STMicroelectronics
M93C76-WMN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6
STMicroelectronics
M93C86-MN6P
STMicroelectronics
M93C86-MN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6TP
STMicroelectronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel