casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND512R3A2AZA6E
Número da peça de fabricante | NAND512R3A2AZA6E |
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Número da peça futura | FT-NAND512R3A2AZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND512R3A2AZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 60ns |
Tempo de acesso | 60ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 55-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2AZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND512R3A2AZA6E-FT |
N25Q064A13ESED0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel