casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND256W3A2BZA6F TR
Número da peça de fabricante | NAND256W3A2BZA6F TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-NAND256W3A2BZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND256W3A2BZA6F TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 256Mb (32M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50ns |
Tempo de acesso | 50ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 55-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256W3A2BZA6F TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND256W3A2BZA6F TR-FT |
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel