casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND256R3A2BZA6E
Número da peça de fabricante | NAND256R3A2BZA6E |
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Número da peça futura | FT-NAND256R3A2BZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND256R3A2BZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 256Mb (32M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50ns |
Tempo de acesso | 50ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 55-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256R3A2BZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND256R3A2BZA6E-FT |
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel