casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND02GW3B2DZA6E
Número da peça de fabricante | NAND02GW3B2DZA6E |
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Número da peça futura | FT-NAND02GW3B2DZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND02GW3B2DZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND02GW3B2DZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND02GW3B2DZA6E-FT |
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E14D1F TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel