casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / NAND02GR3B2DZA6E
Número da peça de fabricante | NAND02GR3B2DZA6E |
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Número da peça futura | FT-NAND02GR3B2DZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND02GR3B2DZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND02GR3B2DZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND02GR3B2DZA6E-FT |
R1LP0108ESA-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESA-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0208BSA-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0208BSA-5SI#S0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SI#S1
Renesas Electronics America
R1LP0108ESF-5SI#B1
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-5SI#B1
Renesas Electronics America
R1LP0108ESF-5SI#S1
Renesas Electronics America
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel