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Número da peça de fabricante | NAND01GW3B2CZA6E |
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Número da peça futura | FT-NAND01GW3B2CZA6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NAND01GW3B2CZA6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9.5x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3B2CZA6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NAND01GW3B2CZA6E-FT |
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25Q064A11E5340F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13E12D1E
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel