casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / N25S830HAS22I
Número da peça de fabricante | N25S830HAS22I |
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Número da peça futura | FT-N25S830HAS22I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
N25S830HAS22I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25S830HAS22I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | N25S830HAS22I-FT |
R1LV0216BSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
RMLV0808BGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
M68AW256ML70ND6T
STMicroelectronics
M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics
R1LV0216BSB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel