casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / N06DB2R2M
Número da peça de fabricante | N06DB2R2M |
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Número da peça futura | FT-N06DB2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | N |
N06DB2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 53MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.126" (3.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N06DB2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | N06DB2R2M-FT |
MS75101-4ST
Vishay Dale
MS75101-5BH
Vishay Dale
MS75101-5RU
Vishay Dale
MS75101-5SH
Vishay Dale
MS75101-5ST
Vishay Dale
MS75101-6BH
Vishay Dale
MS75101-7BH
Vishay Dale
MS75101-7RU
Vishay Dale
MS75101-7SH
Vishay Dale
MS75101-7ST
Vishay Dale
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation