casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / N01S830BAT22I
Número da peça de fabricante | N01S830BAT22I |
---|---|
Número da peça futura | FT-N01S830BAT22I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
N01S830BAT22I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N01S830BAT22I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | N01S830BAT22I-FT |
M25P40-VMP6TGBX0 TR
Micron Technology Inc.
M25P64-VME6G
Micron Technology Inc.
M25P64-VME6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMP6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMP6T TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMP6G
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
M25PE16-VMP6G
Micron Technology Inc.
M25PE20-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel