casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI50-12E6K
Número da peça de fabricante | MWI50-12E6K |
---|---|
Número da peça futura | FT-MWI50-12E6K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI50-12E6K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 51A |
Potência - Max | 210W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 300µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI50-12E6K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI50-12E6K-FT |
MIAA10WB600TMH
IXYS
MIAA10WD600TMH
IXYS
MIAA10WE600TMH
IXYS
MIAA10WF600TMH
IXYS
MIAA15WB600TMH
IXYS
MIAA15WD600TMH
IXYS
MIAA15WE600TMH
IXYS
MIAA20WB600TMH
IXYS
MIAA20WD600TMH
IXYS
MIAA20WE600TMH
IXYS
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel