casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MWI100-06A8
Número da peça de fabricante | MWI100-06A8 |
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Número da peça futura | FT-MWI100-06A8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MWI100-06A8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 130A |
Potência - Max | 410W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-06A8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MWI100-06A8-FT |
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
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APTGTQ100H65T3G
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APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
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APTGTQ200SK65T3G
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LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
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10AX057K2F40I2LG
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