casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / MV1N8176US
Número da peça de fabricante | MV1N8176US |
---|---|
Número da peça futura | FT-MV1N8176US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
MV1N8176US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | - |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | - |
Tensão - Breakdown (Min) | - |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | - |
Potência - Pulso de Pico | - |
Proteção de linha de energia | - |
Aplicações | - |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8176US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MV1N8176US-FT |
MSMLG28CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG30CA
Microsemi Corporation
MSMLG30CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG40A
Microsemi Corporation
MSMLG40AE3
Microsemi Corporation
MSMLG40CA
Microsemi Corporation
MSMLG40CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG43CA
Microsemi Corporation
MSMLG43CAE3
Microsemi Corporation
MSMLG45A
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel