casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURTA600120
Número da peça de fabricante | MURTA600120 |
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Número da peça futura | FT-MURTA600120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURTA600120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 300A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA600120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURTA600120-FT |
MSRT100140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT100160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel