casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT20020R
Número da peça de fabricante | MURT20020R |
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Número da peça futura | FT-MURT20020R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT20020R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20020R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT20020R-FT |
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040
GeneSiC Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel