casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT20010R
Número da peça de fabricante | MURT20010R |
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Número da peça futura | FT-MURT20010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT20010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT20010R-FT |
MBRT400100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020R
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MBRT40030
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MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
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XCV150-5FG256I
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XC7A75T-1FGG676I
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XC7A50T-1CSG325C
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AGL400V5-FGG256I
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AGLN250V5-ZVQG100
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5SEEBH40I3L
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5SGXMA5H2F35I2LN
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LFEC3E-5QN208C
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LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
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