casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT20010R
Número da peça de fabricante | MURT20010R |
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Número da peça futura | FT-MURT20010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT20010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT20010R-FT |
MBRT400100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150
GeneSiC Semiconductor
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation