casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT10060
Número da peça de fabricante | MURT10060 |
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Número da peça futura | FT-MURT10060 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT10060 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | - |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10060 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT10060-FT |
MBRT30045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060
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MBRT30060R
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A42MX36-CQ256
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LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
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5SGXEA7K2F40I2L
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5AGXBA3D4F27C4N
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XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation