casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT10060R
Número da peça de fabricante | MURT10060R |
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Número da peça futura | FT-MURT10060R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT10060R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | - |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10060R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT10060R-FT |
MBRT30060
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080R
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MBRT400150
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MBRT400150R
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MBRT40020
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MBRT400200
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200R
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XC4013XL-1HT144I
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XC6SLX25-3FTG256C
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XCKU040-L1FBVA676I
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XC2V1000-4FGG456C
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AGLN250V2-ZVQG100
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EP4CE15F23I8LN
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5SGXEA5N2F40I3N
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A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel