casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURT10010R
Número da peça de fabricante | MURT10010R |
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Número da peça futura | FT-MURT10010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURT10010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURT10010R-FT |
MBRT30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030R
GeneSiC Semiconductor
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MBRT30045
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MBRT30045R
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MBRT30060
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MBRT30060R
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MBRT30080
GeneSiC Semiconductor
MBRT30080R
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
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XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel