casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURF20010R
Número da peça de fabricante | MURF20010R |
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Número da peça futura | FT-MURF20010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURF20010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | TO-244AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-244 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF20010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURF20010R-FT |
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
MDA950-16N1W
IXYS
MDA950-18N1W
IXYS
MDA950-20N1W
IXYS
MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
IXYS
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel