casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURF10010R
Número da peça de fabricante | MURF10010R |
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Número da peça futura | FT-MURF10010R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURF10010R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | TO-244AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-244 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10010R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURF10010R-FT |
MBRF30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MDA600-12N1
IXYS
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
IXYS
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation