casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5213DW1T3G
Número da peça de fabricante | MUN5213DW1T3G |
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Número da peça futura | FT-MUN5213DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5213DW1T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5213DW1T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5213DW1T3G-FT |
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
LCMXO640E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
EP2C35F672C7
Intel
EPF10K200SFC484-2N
Intel
APA075-TQG100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCU324C8G
Intel