casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5113DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5113DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5113DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5113DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5113DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5113DW1T1G-FT |
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
A3P400-FGG484
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A3P250L-FG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-CB132
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N1F40C2LN
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
APA075-TQ100I
Microsemi Corporation