casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MUBW30-12A6
Número da peça de fabricante | MUBW30-12A6 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MUBW30-12A6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUBW30-12A6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Three Phase Inverter with Brake |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 31A |
Potência - Max | 104W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 15A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW30-12A6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUBW30-12A6-FT |
IXB200I600NA
IXYS
IXB80IF600NA
IXYS
IXEN60N120
IXYS
IXGE200N60B
IXYS
IXGN100N120
IXYS
IXGN100N160A
IXYS
IXGN100N170
IXYS
IXGN200N60
IXYS
IXGN200N60A
IXYS
IXGN200N60A2
IXYS
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel