casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotodiodos / MTD5010W
Número da peça de fabricante | MTD5010W |
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Número da peça futura | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MTD5010W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Comprimento de onda | 850nm |
Cor - Aprimorado | Infrared (NIR)/Red |
Faixa espectral | 400nm ~ 1100nm |
Tipo de Diodo | - |
Responsividade @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo de resposta | 3.5ns |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Escuro (Tipo) | 5nA |
Área ativa | - |
Ângulo de visão | 110° |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
AT40K20LV-3BQC
Microchip Technology
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
10CL010YU256C6G
Intel
EP1K50FC256-1
Intel
APA150-FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
Intel
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel