casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotodiodos / MTD3010N
Número da peça de fabricante | MTD3010N |
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Número da peça futura | FT-MTD3010N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MTD3010N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Comprimento de onda | 900nm |
Cor - Aprimorado | Infrared (NIR)/Red |
Faixa espectral | 400nm ~ 1100nm |
Tipo de Diodo | - |
Responsividade @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo de resposta | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Escuro (Tipo) | 10nA |
Área ativa | - |
Ângulo de visão | 16° |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD3010N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MTD3010N-FT |
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
SXUV100
Opto Diode Corp
ODD-5WB
Opto Diode Corp
ODD-5WISOL
Opto Diode Corp
ODD-5WBISOL
Opto Diode Corp
ODD-5W
Opto Diode Corp
EP1K10TC144-3N
Intel
XC3S400-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCV300-4FG456I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP20K160EFC484-1
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35I5ES
Intel
EP2S90F1508C5N
Intel
EPF10K200SBC356-1X
Intel