casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MTA8ATF51264AZ-2G6B1

| Número da peça de fabricante | MTA8ATF51264AZ-2G6B1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MTA8ATF51264AZ-2G6B1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de memória | Volatile |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
| Freqüência do relógio | 1333MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 1.2V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MTA8ATF51264AZ-2G6B1-FT |

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.

MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.

MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron Technology Inc.

XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.

XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.

A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation

M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation

LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S80F1508C7
Intel

EP4CE55F29I8L
Intel

EP20K600CB652C8
Intel