casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MTA8ATF51264AZ-2G1B1
Número da peça de fabricante | MTA8ATF51264AZ-2G1B1 |
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Número da peça futura | FT-MTA8ATF51264AZ-2G1B1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 1067MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MTA8ATF51264AZ-2G1B1-FT |
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel